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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 트랜지스터 어레이, 사전 바이어싱>RN1911FE,LF(CT
RN1911FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
제조사부품번호： RN1911FE,LF(CT
부품부별： 양극 트랜지스터 어레이, 사전 바이어싱
재고： 39254
내역： NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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RN4984(T5L,F,T)
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Toshiba Semiconductor and Storage
DDA114TH-7
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Diodes Incorporated
DDA124EH-7
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Diodes Incorporated
  • 제조업체
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 제조업체 제품 번호
    RN1911FE,LF(CT
  • 재고 수량
    39254
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    100mA
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    50V
  • 저항기 - 베이스(R1)
    10k옴
  • 저항기 - 방출기 베이스(R2)
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류 - 콜렉터 차단(최대)
    100nA(ICBO)
  • 주파수 - 트랜지션
    250MHz
  • 전력 - 최대
    100mW
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 공급 장치 패키지
    ES6