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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 트랜지스터 어레이>HN4C51J(TE85L,F)
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
제조사부품번호： HN4C51J(TE85L,F)
부품부별： 양극 트랜지스터 어레이
재고： 64832
내역： TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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Nexperia USA Inc.
  • 제조업체
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 제조업체 제품 번호
    HN4C51J(TE85L,F)
  • 재고 수량
    64832
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN(이중) 공통 베이스
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    100mA
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    120V
  • Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • 전류 - 콜렉터 차단(최대)
    100nA(ICBO)
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • 전력 - 최대
    300mW
  • 주파수 - 트랜지션
    100MHz
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    SC-74A, SOT-753
  • 공급 장치 패키지
    SMV