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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 트랜지스터 어레이>HN1C03FU-B,LF
HN1C03FU-B,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
제조사부품번호： HN1C03FU-B,LF
부품부별： 양극 트랜지스터 어레이
재고： 54716
내역： NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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PUMX1,115
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Nexperia USA Inc.
BC847PN-TP
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2SA1873-GR(TE85L,F
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Toshiba Semiconductor and Storage
SBC847BPDW1T3G
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onsemi
HN1B01FDW1T1G
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onsemi
  • 제조업체
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 제조업체 제품 번호
    HN1C03FU-B,LF
  • 재고 수량
    54716
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN(이중)
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    300mA
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    20V
  • Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
    100mV @ 3mA, 30A
  • 전류 - 콜렉터 차단(최대)
    100nA(ICBO)
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    350 @ 4mA, 2V
  • 전력 - 최대
    200mW
  • 주파수 - 트랜지션
    30MHz
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급 장치 패키지
    US6