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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 RF 트랜지스터>NSVF6001SB6T1G
NSVF6001SB6T1G
onsemi
제조사부품번호： NSVF6001SB6T1G
부품부별： 양극 RF 트랜지스터
재고： 33020
내역： RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    onsemi
  • 제조업체 제품 번호
    NSVF6001SB6T1G
  • 재고 수량
    33020
  • 포장
    테이프 및 릴(TR)
  • 계열
    Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    12V
  • 주파수 - 트랜지션
    6.7GHz
  • 잡음 지수(dB 통상 @ f)
    1.1dB @ 1GHz
  • 이득
    11dB
  • 전력 - 최대
    800mW
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    90 @ 30mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    100mA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 공급 장치 패키지
    6-CPH