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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 RF 트랜지스터>NESG3031M14-T3-A
NESG3031M14-T3-A
Renesas Electronics America Inc
제조사부품번호： NESG3031M14-T3-A
부품부별： 양극 RF 트랜지스터
재고： 69610
내역： RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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Renesas Electronics America Inc
  • 제조업체
    Renesas Electronics America Inc
  • 제조업체 제품 번호
    NESG3031M14-T3-A
  • 재고 수량
    69610
  • 포장
    벌크
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    4.3V
  • 주파수 - 트랜지션
  • 잡음 지수(dB 통상 @ f)
    0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
  • 이득
    7.5dB ~ 16dB
  • 전력 - 최대
    150mW
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    220 @ 6mA, 2V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    35mA
  • 작동 온도
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    4-SMD, 플랫 리드(Lead)
  • 공급 장치 패키지
    4L2MM, M14