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HSG1002VE-TL-E
Renesas Electronics America Inc
제조사부품번호: HSG1002VE-TL-E
부품부별: 양극 RF 트랜지스터
재고: 47409
내역: RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
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  • 제조업체
    Renesas Electronics America Inc
  • 제조업체 제품 번호
    HSG1002VE-TL-E
  • 재고 수량
    47409
  • 포장
    벌크
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    3.5V
  • 주파수 - 트랜지션
    38GHz
  • 잡음 지수(dB 통상 @ f)
    0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
  • 이득
    8dB ~ 19.5dB
  • 전력 - 최대
    200mW
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    100 @ 5mA, 2V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    35mA
  • 작동 온도
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    4-SMD, 갈매기날개형
  • 공급 장치 패키지
    4-MFPAK