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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 RF 트랜지스터>BGR420H6327
BGR420H6327
Infineon Technologies
제조사부품번호： BGR420H6327
부품부별： 양극 RF 트랜지스터
재고： 32526
내역： BIASED LOW NOISE RF TRANSISTOR
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Infineon Technologies
  • 제조업체 제품 번호
    BGR420H6327
  • 재고 수량
    32526
  • 포장
    벌크
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    13V
  • 주파수 - 트랜지션
  • 잡음 지수(dB 통상 @ f)
    1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
  • 이득
    26dB
  • 전력 - 최대
    120mW
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    25mA
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    SC-82A, SOT-343
  • 공급 장치 패키지
    PG-SOT343-4-1