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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 RF 트랜지스터>MT3S111P(TE12L,F)
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
제조사부품번호： MT3S111P(TE12L,F)
부품부별： 양극 RF 트랜지스터
재고： 1197
내역： RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 제조업체 제품 번호
    MT3S111P(TE12L,F)
  • 재고 수량
    1197
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    6V
  • 주파수 - 트랜지션
    8GHz
  • 잡음 지수(dB 통상 @ f)
    1.25dB @ 1GHz
  • 이득
    10.5dB
  • 전력 - 최대
    1W
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    100mA
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    TO-243AA
  • 공급 장치 패키지
    PW-MINI