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MT3S111TU,LF
MT3S111TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
제조사부품번호：
MT3S111TU,LF
부품부별：
양극 RF 트랜지스터
재고：
24714
내역：
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
사양서：
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RFQ：
RFQ
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내역
사양서
제조업체
Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호
MT3S111TU,LF
재고 수량
24714
포장
테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
계열
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
6V
주파수 - 트랜지션
10GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득
12.5dB
전력 - 최대
800mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
100mA
작동 온도
150°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
3-SMD, 평면 리드(Lead)
공급 장치 패키지
UFM
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