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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>양극 RF 트랜지스터>NE85619-T1-A
NE85619-T1-A
Renesas
제조사부품번호： NE85619-T1-A
부품부별： 양극 RF 트랜지스터
재고： 99950
내역： SAME AS 2SC5006 NPN SILICON AMPL

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Renesas
  • 제조업체 제품 번호
    NE85619-T1-A
  • 재고 수량
    99950
  • 포장
    테이프 및 릴(TR)
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    12V
  • 주파수 - 트랜지션
    4.5GHz
  • 잡음 지수(dB 통상 @ f)
    1.2dB @ 1GHz
  • 이득
    9dB
  • 전력 - 최대
    125mW
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    80 @ 7mA, 3V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    100mA
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    SOT-523
  • 공급 장치 패키지
    SOT-523