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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일, 사전 바이어싱 양극 트랜지스터>DTD113ZUT106
DTD113ZUT106
Rohm Semiconductor
제조사부품번호： DTD113ZUT106
부품부별： 단일, 사전 바이어싱 양극 트랜지스터
재고： 29217
내역： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Rohm Semiconductor
  • 제조업체 제품 번호
    DTD113ZUT106
  • 재고 수량
    29217
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    NPN - 사전 바이어스됨
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    500 mA
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    50 V
  • 저항기 - 베이스(R1)
    1 kOhms
  • 저항기 - 방출기 베이스(R2)
    10 kOhms
  • DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
    82 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류 - 콜렉터 차단(최대)
    500nA
  • 주파수 - 트랜지션
    200 MHz
  • 전력 - 최대
    200 mW
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    SC-70, SOT-323
  • 공급 장치 패키지
    UMT3