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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 제너 다이오드>1N5226B-TAP
1N5226B-TAP
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
제조사부품번호： 1N5226B-TAP
부품부별： 단일 제너 다이오드
재고： 80978
내역： DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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Diodes Incorporated
  • 제조업체
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 제조업체 제품 번호
    1N5226B-TAP
  • 재고 수량
    80978
  • 포장
    컷 테이프(CT),테이프 및 박스(TB)
  • 계열
    Automotive, AEC-Q101
  • 전압 - 제너(공칭)(Vz)
    3.3 V
  • 허용 오차
    ±5%
  • 전력 - 최대
    500 mW
  • 임피던스(최대)(Zzt)
    28 Ohms
  • 전류 - 역누설 @ Vr
    25 µA @ 1 V
  • 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • 작동 온도
    175°C
  • 실장 유형
    스루홀
  • 패키지/케이스
    DO-204AH, DO-35, 축방향
  • 공급 장치 패키지
    DO-35(DO-204AH)