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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 IGBT>HGTD3N60B3
HGTD3N60B3
Harris Corporation
제조사부품번호： HGTD3N60B3
부품부별： 단일 IGBT
재고： 38285
내역： 7A, 600V, N-CHANNEL IGBT
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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Microchip Technology
  • 제조업체
    Harris Corporation
  • 제조업체 제품 번호
    HGTD3N60B3
  • 재고 수량
    38285
  • 포장
    벌크
  • 계열
  • IGBT 유형
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    600 V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    7 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(Icm)
    20 A
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 3.5A
  • 전력 - 최대
    33.3 W
  • 스위칭 에너지
    66µJ(켜기), 88µJ(끄기)
  • 입력 유형
    표준
  • 게이트 전하
    21 nC
  • Td(on/off) @ 25°C
    18ns/105ns
  • 테스트 조건
    480V, 3.5A, 82옴, 15V
  • 역회복 시간(trr)
    16 ns
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    스루홀
  • 패키지/케이스
    TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
  • 공급 장치 패키지
    I-PAK