S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

이상 주문시 무료 배송!

NGB8207ABNT4G
onsemi
제조사부품번호: NGB8207ABNT4G
부품부별: 단일 IGBT
재고: 55552
내역: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
추천
SLA5222
Sanken
APT40GT60BRG
Microchip Technology
FGY75T95LQDT
onsemi
SKW30N60FKSA1
Infineon Technologies
  • 제조업체
    onsemi
  • 제조업체 제품 번호
    NGB8207ABNT4G
  • 재고 수량
    55552
  • 포장
    벌크
  • 계열
  • IGBT 유형
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    365 V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    20 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(Icm)
    50 A
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
    2.2V @ 3.7V, 10A
  • 전력 - 최대
    165 W
  • 스위칭 에너지
  • 입력 유형
    논리
  • 게이트 전하
  • Td(on/off) @ 25°C
  • 테스트 조건
  • 역회복 시간(trr)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    TO-263-3, D²Pak(2 리드(lead)+탭), TO-263AB
  • 공급 장치 패키지
    D2PAK