S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

이상 주문시 무료 배송!

HGTP10N120BN
onsemi
제조사부품번호: HGTP10N120BN
부품부별: 단일 IGBT
재고: 3338
내역: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
추천
HGTP10N50E1D
Harris Corporation
HGTG30N60B3
Harris Corporation
RJP65T43DPQ-A0#T2
Renesas Electronics America Inc
IHW30N65R6XKSA1
Infineon Technologies
HGTH20N50EID
Harris Corporation
  • 제조업체
    onsemi
  • 제조업체 제품 번호
    HGTP10N120BN
  • 재고 수량
    3338
  • 포장
    튜브
  • 계열
  • IGBT 유형
    NPT
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    1200 V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    35 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(Icm)
    80 A
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • 전력 - 최대
    298 W
  • 스위칭 에너지
    320µJ(켜기), 800µJ(끄기)
  • 입력 유형
    표준
  • 게이트 전하
    100 nC
  • Td(on/off) @ 25°C
    23ns/165ns
  • 테스트 조건
    960V, 10A, 10옴, 15V
  • 역회복 시간(trr)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    스루홀
  • 패키지/케이스
    TO-220-3
  • 공급 장치 패키지
    TO-220-3