S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

Tel 0755-83299131
Email info@springic.net

이상 주문시 무료 배송!

홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 FET, MOSFET>FDD86113LZ
FDD86113LZ
onsemi
제조사부품번호： FDD86113LZ
부품부별： 단일 FET, MOSFET
재고： 15171
내역： MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
추천
AOD403
AOD403
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFD16N05SM9A
RFD16N05SM9A
onsemi
IRF8734TRPBF
IRF8734TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3410TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
Infineon Technologies
  • 제조업체
    onsemi
  • 제조업체 제품 번호
    FDD86113LZ
  • 재고 수량
    15171
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    PowerTrench®
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    100 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    4.2A(Ta), 5.5A(Tc)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    104m옴 @ 4.2A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    3V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    6 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    285 pF @ 50 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    3.1W(Ta), 29W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    TO-252AA
  • 패키지/케이스
    TO-252-3, DPak(2 리드(lead)+탭), SC-63