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FDD86113LZ
onsemi
제조사부품번호: FDD86113LZ
부품부별: 단일 FET, MOSFET
재고: 15171
내역: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
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  • 제조업체
    onsemi
  • 제조업체 제품 번호
    FDD86113LZ
  • 재고 수량
    15171
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    PowerTrench®
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    100 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    4.2A(Ta), 5.5A(Tc)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    104m옴 @ 4.2A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    3V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    6 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    285 pF @ 50 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    3.1W(Ta), 29W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    TO-252AA
  • 패키지/케이스
    TO-252-3, DPak(2 리드(lead)+탭), SC-63