S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

Tel 0755-83299131
Email info@springic.net

이상 주문시 무료 배송!

홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 FET, MOSFET>BSC052N03LSATMA1
BSC052N03LSATMA1
Infineon Technologies
제조사부품번호： BSC052N03LSATMA1
부품부별： 단일 FET, MOSFET
재고： 87529
내역： MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
추천
TSM4800N15CX6 RFG
TSM4800N15CX6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
STD15P6F6AG
STD15P6F6AG
STMicroelectronics
BSC059N04LSGATMA1
BSC059N04LSGATMA1
Infineon Technologies
SQS405EN-T1_GE3
SQS405EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQSA80ENW-T1_GE3
SQSA80ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
  • 제조업체
    Infineon Technologies
  • 제조업체 제품 번호
    BSC052N03LSATMA1
  • 재고 수량
    87529
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    OptiMOS™
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    17A(Ta), 57A(Tc)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    5.2m옴 @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    770 pF @ 15 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    2.5W(Ta), 28W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    PG-TDSON-8-6
  • 패키지/케이스
    8-PowerTDFN