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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 FET, MOSFET>IPD30N03S4L09ATMA1
IPD30N03S4L09ATMA1
Infineon Technologies
제조사부품번호： IPD30N03S4L09ATMA1
부품부별： 단일 FET, MOSFET
재고： 26929
내역： MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Infineon Technologies
  • 제조업체 제품 번호
    IPD30N03S4L09ATMA1
  • 재고 수량
    26929
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    OptiMOS™
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    30A(Tc)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    9m옴 @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.2V @ 13µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±16V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1520 pF @ 15 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    42W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    PG-TO252-3-11
  • 패키지/케이스
    TO-252-3, DPak(2 리드(lead)+탭), SC-63