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DMT10H015LFG-7
Diodes Incorporated
제조사부품번호: DMT10H015LFG-7
부품부별: 단일 FET, MOSFET
재고: 20926
내역: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
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  • 제조업체
    Diodes Incorporated
  • 제조업체 제품 번호
    DMT10H015LFG-7
  • 재고 수량
    20926
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    100 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    10A(Ta), 42A(Tc)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    13.5m옴 @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    33.3 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1871 pF @ 50 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    2W(Ta), 35W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 패키지/케이스
    8-PowerVDFN