S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

이상 주문시 무료 배송!

BSP125H6327XTSA1
Infineon Technologies
제조사부품번호: BSP125H6327XTSA1
부품부별: 단일 FET, MOSFET
재고: 54885
내역: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
추천
FQD4P25TM-WS
onsemi
IRFL9014TRPBF
Vishay Siliconix
SIA413DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
TSM2301ACX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
  • 제조업체
    Infineon Technologies
  • 제조업체 제품 번호
    BSP125H6327XTSA1
  • 재고 수량
    54885
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    SIPMOS®
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    600 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    120mA(Ta)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    45옴 @ 120mA, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.3V @ 94µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    6.6 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    1.8W(Ta)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    PG-SOT223-4
  • 패키지/케이스
    TO-261-4, TO-261AA