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BSP250,115
Nexperia USA Inc.
제조사부품번호: BSP250,115
부품부별: 단일 FET, MOSFET
재고: 26435
내역: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
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Nexperia USA Inc.
AONR21307
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FDN5632N-F085
onsemi
DMN10H120SFG-7
Diodes Incorporated
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated
  • 제조업체
    Nexperia USA Inc.
  • 제조업체 제품 번호
    BSP250,115
  • 재고 수량
    26435
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • FET 유형
    P채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    3A(Tc)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    250m옴 @ 1A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.8V @ 1mA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    250 pF @ 20 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    1.65W(Ta)
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    SOT-223
  • 패키지/케이스
    TO-261-4, TO-261AA