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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 FET, MOSFET>SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
제조사부품번호： SIS412DN-T1-GE3
부품부별： 단일 FET, MOSFET
재고： 63272
내역： MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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onsemi
AO4484
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  • 제조업체
    Vishay Siliconix
  • 제조업체 제품 번호
    SIS412DN-T1-GE3
  • 재고 수량
    63272
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    TrenchFET®
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    12A(Tc)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    24m옴 @ 7.8A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    435 pF @ 15 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    3.2W(Ta), 15.6W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    PowerPAK® 1212-8
  • 패키지/케이스
    PowerPAK® 1212-8