S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

Tel 0755-83299131
Email info@springic.net

이상 주문시 무료 배송!

홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 FET, MOSFET>SI1050X-T1-GE3
SI1050X-T1-GE3
Vishay Siliconix
제조사부품번호： SI1050X-T1-GE3
부품부별： 단일 FET, MOSFET
재고： 64587
내역： MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
추천
ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30FHTA
Diodes Incorporated
FDC655BN
FDC655BN
onsemi
FDN359BN
FDN359BN
onsemi
DMP1009UFDF-7
DMP1009UFDF-7
Diodes Incorporated
DMG3414U-7
DMG3414U-7
Diodes Incorporated
  • 제조업체
    Vishay Siliconix
  • 제조업체 제품 번호
    SI1050X-T1-GE3
  • 재고 수량
    64587
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    TrenchFET®
  • FET 유형
    N채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    8 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    1.34A(Ta)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    86m옴 @ 1.34A, 4.5V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    900mV @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    11.6 nC @ 5 V
  • Vgs(최대)
    ±5V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    585 pF @ 4 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    236mW(Ta)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    SC-89(SOT-563F)
  • 패키지/케이스
    SOT-563, SOT-666