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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>단일 FET, MOSFET>SSM6J507NU,LF
SSM6J507NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
제조사부품번호： SSM6J507NU,LF
부품부별： 단일 FET, MOSFET
재고： 33505
내역： MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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Nexperia USA Inc.
NDS331N
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onsemi
  • 제조업체
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 제조업체 제품 번호
    SSM6J507NU,LF
  • 재고 수량
    33505
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    U-MOSVI
  • FET 유형
    P채널
  • 기술
    MOSFET(금속 산화물)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30 V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    10A(Ta)
  • 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    20m옴 @ 4A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    20.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(최대)
    +20V, -25V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1150 pF @ 15 V
  • FET 특징
  • 내전력(최대)
    1.25W(Ta)
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 공급 장치 패키지
    6-UDFNB(2x2)
  • 패키지/케이스
    6-WDFN 노출형 패드