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NE3515S02-T1C-A
Renesas
제조사부품번호: NE3515S02-T1C-A
부품부별: RF FET, MOSFET
재고: 50256
내역: SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
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  • 제조업체
    Renesas
  • 제조업체 제품 번호
    NE3515S02-T1C-A
  • 재고 수량
    50256
  • 포장
    테이프 및 릴(TR)
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    HFET
  • 주파수
    12GHz
  • 이득
    12.5dB
  • 전압 - 테스트
    2 V
  • 전류 정격(A)
    88mA
  • 잡음 지수
    0.3dB
  • 전류 - 테스트
    10 mA
  • 전력 - 출력
  • 전압 - 정격
    4 V
  • 패키지/케이스
    4-Micro-X
  • 공급 장치 패키지
    4-Micro-X