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A2G35S200-01SR3
NXP USA Inc.
제조사부품번호: A2G35S200-01SR3
부품부별: RF FET, MOSFET
재고: 60452
내역: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
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  • 제조업체
    NXP USA Inc.
  • 제조업체 제품 번호
    A2G35S200-01SR3
  • 재고 수량
    60452
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • 트랜지스터 유형
    GaN HEMT
  • 주파수
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 이득
    16.1dB
  • 전압 - 테스트
    48 V
  • 전류 정격(A)
  • 잡음 지수
  • 전류 - 테스트
    291 mA
  • 전력 - 출력
    180W
  • 전압 - 정격
    125 V
  • 패키지/케이스
    NI-400S-2S
  • 공급 장치 패키지
    NI-400S-2S