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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>IGBT 모듈>NXH80T120L3Q0S3G
NXH80T120L3Q0S3G
onsemi
제조사부품번호： NXH80T120L3Q0S3G
부품부별： IGBT 모듈
재고： 97207
내역： PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    onsemi
  • 제조업체 제품 번호
    NXH80T120L3Q0S3G
  • 재고 수량
    97207
  • 포장
    트레이
  • 계열
  • IGBT 유형
    트렌치 필드 스톱
  • 구성
    하프브리지
  • 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
    1200 V
  • 전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
    75 A
  • 전력 - 최대
    188 W
  • Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 80A
  • 전류 - 콜렉터 차단(최대)
    300 µA
  • 입력 정전 용량(Cies) @ Vce
    18.15 nF @ 20 V
  • 입력
    표준
  • NTC 서미스터
    있음
  • 작동 온도
    -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 실장 유형
    섀시 실장
  • 패키지/케이스
    모듈
  • 공급 장치 패키지
    20-PIM/Q0PACK(55x32.5)