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VT6M1T2CR
Rohm Semiconductor
제조사부품번호: VT6M1T2CR
부품부별: FET, MOSFET 어레이
재고: 87758
내역: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
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  • 제조업체
    Rohm Semiconductor
  • 제조업체 제품 번호
    VT6M1T2CR
  • 재고 수량
    87758
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • FET 유형
    N 및 P 채널
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    20V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    100mA
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    3.5옴 @ 100mA, 4.5V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    1V @ 100µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • 전력 - 최대
    120mW
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    6-SMD, 플랫 리드(Lead)
  • 공급 장치 패키지
    VMT6