S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

이상 주문시 무료 배송!

EPC2105
EPC
제조사부품번호: EPC2105
부품부별: FET, MOSFET 어레이
재고: 83317
내역: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
추천
FDPC8012S
onsemi
2SJ684-TL-E
Sanyo
2SJ653
onsemi
  • 제조업체
    EPC
  • 제조업체 제품 번호
    EPC2105
  • 재고 수량
    83317
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    eGaN®
  • FET 유형
    2 N 채널(하프브리지)
  • FET 특징
    GaNFET(질화 갈륨)
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    80V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    9.5A, 38A
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    14.5m옴 @ 20A, 5V, 3.4m옴 @ 20A, 5V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    2.5nC(5V), 10nC(5V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
  • 전력 - 최대
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    다이
  • 공급 장치 패키지
    다이