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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>TSM250NB06DCR RLG
TSM250NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
제조사부품번호： TSM250NB06DCR RLG
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 54619
내역： DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • 제조업체 제품 번호
    TSM250NB06DCR RLG
  • 재고 수량
    54619
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    표준
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    60V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    7A(Ta), 30A(Tc)
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    25m옴 @ 7A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    4V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    22nC(10V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1461pF @ 30V
  • 전력 - 최대
    2W(Ta), 48W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    8-PowerTDFN
  • 공급 장치 패키지
    8-PDFN(5x6)