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CSD87312Q3E
Texas Instruments
제조사부품번호： CSD87312Q3E
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 36859
내역： MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Texas Instruments
  • 제조업체 제품 번호
    CSD87312Q3E
  • 재고 수량
    36859
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    NexFET™
  • FET 유형
    2N 채널(이중)공통 소스
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    27A
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    33m옴 @ 7A , 8V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    1.3V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    8.2nC(4.5V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1250pF @ 15V
  • 전력 - 최대
    2.5W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    8-PowerTDFN
  • 공급 장치 패키지
    8-VSON(3.3x3.3)