S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

Tel 0755-83299131
Email info@springic.net

이상 주문시 무료 배송!

홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>SIZ250DT-T1-GE3
SIZ250DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
제조사부품번호： SIZ250DT-T1-GE3
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 10217
내역： MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
추천
SIZ998BDT-T1-GE3
SIZ998BDT-T1-GE3
Vishay Siliconix
CSD87501L
CSD87501L
Texas Instruments
AONY36354
AONY36354
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMTH4011SPDQ-13
DMTH4011SPDQ-13
Diodes Incorporated
AONP36336
AONP36336
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 제조업체
    Vishay Siliconix
  • 제조업체 제품 번호
    SIZ250DT-T1-GE3
  • 재고 수량
    10217
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    TrenchFET® Gen IV
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    표준
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    60V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    14A(Ta), 38A(Tc)
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    12.2m옴 @ 10A, 10V, 12.7m옴 @ 10A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    21nC(10V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    840pF @ 30V, 790pF @ 30V
  • 전력 - 최대
    4.3W(Ta), 33W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    8-PowerWDFN
  • 공급 장치 패키지
    8-PowerPair®(3.3x3.3)