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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>SIZF906BDT-T1-GE3
SIZF906BDT-T1-GE3
Vishay Siliconix
제조사부품번호： SIZF906BDT-T1-GE3
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 70571
내역： DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Vishay Siliconix
  • 제조업체 제품 번호
    SIZF906BDT-T1-GE3
  • 재고 수량
    70571
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    TrenchFET® Gen IV
  • FET 유형
    2 N 채널(이중), 쇼트키
  • FET 특징
    표준
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    36A(Ta), 105A(Tc), 63A(Ta), 257A(Tc)
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    2.1m옴 @ 15A, 10V, 680µ옴 @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    49nC @ 10V, 165nC @ 10V
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
  • 전력 - 최대
    4.5W(Ta), 38W(Tc), 5W(Ta), 83W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    8-PowerWDFN
  • 공급 장치 패키지
    8-PowerPair®(6x5)