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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TA
Diodes Incorporated
제조사부품번호： ZXMN3A06DN8TA
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 82329
내역： MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    Diodes Incorporated
  • 제조업체 제품 번호
    ZXMN3A06DN8TA
  • 재고 수량
    82329
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT)
  • 계열
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    4.9A
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    35m옴 @ 9A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    1V @ 250µA(최소)
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    17.5nC(10V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    796pF @ 25V
  • 전력 - 최대
    1.8W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    8-SOIC(0.154
  • 공급 장치 패키지
    3.90mm 폭)