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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>SSM6N7002BFE,LM
SSM6N7002BFE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
제조사부품번호： SSM6N7002BFE,LM
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 44998
내역： MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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ALD1116SAL
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Advanced Linear Devices Inc.
  • 제조업체
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 제조업체 제품 번호
    SSM6N7002BFE,LM
  • 재고 수량
    44998
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    60V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    200mA
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    2.1옴 @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    3.1V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    17pF @ 25V
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 작동 온도
    150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 공급 장치 패키지
    ES6