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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>TQM110NB04DCR RLG
TQM110NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
제조사부품번호： TQM110NB04DCR RLG
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 78957
내역： 40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M

RFQ： RFQ
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Taiwan Semiconductor Corporation
  • 제조업체
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • 제조업체 제품 번호
    TQM110NB04DCR RLG
  • 재고 수량
    78957
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    표준
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    40V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    10A(Ta), 50A(Tc)
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    11m옴 @ 10A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    3.8V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    26nC(10V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1354pF @ 20V
  • 전력 - 최대
    2.5W(Ta), 58W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장, 웨터블 플랭크
  • 패키지/케이스
    8-PowerTDFN
  • 공급 장치 패키지
    8-PDFNU(5x6)