S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

Tel 0755-83299131
Email info@springic.net

이상 주문시 무료 배송!

홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>BSG0811NDATMA1
BSG0811NDATMA1
Infineon Technologies
제조사부품번호： BSG0811NDATMA1
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 27237
내역： MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
추천
BSC0921NDIATMA1
BSC0921NDIATMA1
Infineon Technologies
SI4204DY-T1-GE3
SI4204DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4936ADY-T1-E3
SI4936ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TA
Diodes Incorporated
TSM6502CR RLG
TSM6502CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
  • 제조업체
    Infineon Technologies
  • 제조업체 제품 번호
    BSG0811NDATMA1
  • 재고 수량
    27237
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    OptiMOS™
  • FET 유형
    2 N 채널(이중) 비대칭
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    25V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    19A, 41A
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    3m옴 @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    8.4nC(4.5V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    1100pF @ 12V
  • 전력 - 최대
    2.5W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    8-PowerTDFN
  • 공급 장치 패키지
    PG-TISON-8