S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

Tel 0755-83299131
Email info@springic.net

이상 주문시 무료 배송!

홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>IPG20N06S4L11ATMA2
IPG20N06S4L11ATMA2
Infineon Technologies
제조사부품번호： IPG20N06S4L11ATMA2
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 52316
내역： MOSFET_)40V 60V)
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
추천
SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix
BSC0924NDIATMA1
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
IRF7329TRPBF
IRF7329TRPBF
Infineon Technologies
SH8K32TB1
SH8K32TB1
Rohm Semiconductor
SI7923DN-T1-GE3
SI7923DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
  • 제조업체
    Infineon Technologies
  • 제조업체 제품 번호
    IPG20N06S4L11ATMA2
  • 재고 수량
    52316
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    60V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    20A(Tc)
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    11.2m옴 @ 17A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.2V @ 28µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    53nC(10V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    4020pF @ 25V
  • 전력 - 최대
    65W(Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장, 웨터블 플랭크
  • 패키지/케이스
    8-PowerVDFN
  • 공급 장치 패키지
    PG-TDSON-8-10