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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>SIZ918DT-T1-GE3
SIZ918DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
제조사부품번호： SIZ918DT-T1-GE3
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 95155
내역： MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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BSC0924NDIATMA1
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Infineon Technologies
  • 제조업체
    Vishay Siliconix
  • 제조업체 제품 번호
    SIZ918DT-T1-GE3
  • 재고 수량
    95155
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    TrenchFET®
  • FET 유형
    2 N 채널(하프브리지)
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    30V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    16A, 28A
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    12m옴 @ 13.8A, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    21nC(10V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    790pF @ 15V
  • 전력 - 최대
    29W, 100W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    8-PowerWDFN
  • 공급 장치 패키지
    8-PowerPair®(6x5)