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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>DMN1029UFDB-7
DMN1029UFDB-7
Diodes Incorporated
제조사부품번호： DMN1029UFDB-7
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 81588
내역： MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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NVTJD4001NT1G
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NTJD4001NT1G
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onsemi
  • 제조업체
    Diodes Incorporated
  • 제조업체 제품 번호
    DMN1029UFDB-7
  • 재고 수량
    81588
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    표준
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    12V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    5.6A
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    29m옴 @ 5A, 4.5V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    1V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    19.6nC(8V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    914pF @ 6V
  • 전력 - 최대
    1.4W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    6-UDFN 노출형 패드
  • 공급 장치 패키지
    U-DFN2020-6(유형B)