S P R I N G I C
언어 선택:

도움말0755-83299131

이상 주문시 무료 배송!

2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
제조사부품번호: 2N7002DWH6327XTSA1
부품부별: FET, MOSFET 어레이
재고: 3226
내역: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
사양서: Download Now

RFQ: RFQ
추천
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SSM6N44FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
BSS138PS,115
Nexperia USA Inc.
SSM6L36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
  • 제조업체
    Infineon Technologies
  • 제조업체 제품 번호
    2N7002DWH6327XTSA1
  • 재고 수량
    3226
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
    OptiMOS™
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    60V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    300mA
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    3옴 @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    0.6nC(10V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    20pF @ 25V
  • 전력 - 최대
    500mW
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급 장치 패키지
    PG-SOT363-PO