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홈>제품 센터>이산 반도체 제품>FET, MOSFET 어레이>NTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G
onsemi
제조사부품번호： NTJD5121NT1G
부품부별： FET, MOSFET 어레이
재고： 28305
내역： MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
사양서： Download Now

RFQ： RFQ
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  • 제조업체
    onsemi
  • 제조업체 제품 번호
    NTJD5121NT1G
  • 재고 수량
    28305
  • 포장
    테이프 및 릴(TR),컷 테이프(CT),Digi-Reel®
  • 계열
  • FET 유형
    2 N-Chan(이중)
  • FET 특징
    논리 레벨 게이트
  • 드레인 - 소스 전압(Vdss)
    60V
  • 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
    295mA
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs
    1.6옴 @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(최대) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
    0.9nC(4.5V)
  • 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
    26pF @ 20V
  • 전력 - 최대
    250mW
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 실장 유형
    표면 실장
  • 패키지/케이스
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급 장치 패키지
    SC-88/SC70-6/SOT-363